तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक उपकरणों के लिए परीक्षण चुनौतियां
2023-06-21
यह कहना कोई अतिशयोक्ति नहीं है कि तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक उपकरणों ने बिजली आपूर्ति उद्योग में नवाचार लाया है। उनकी उच्च गति, छोटे आकार और कम बिजली की खपत के आधार पर, वे उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और पावर इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगों में अधिक से अधिक व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। आइए पहले विभिन्न प्रौद्योगिकियों के बिजली उपकरणों के बीच के अंतर पर एक नज़र डालें। नीचे दिए गए आंकड़े से पता चलता है कि पारंपरिक सी-आधारित IGBTS या MOSFETs या तो उच्च-वोल्टेज और कम-गति रेंज में, या कम-वोल्टेज और हाई-स्पीड रेंज में वितरित किए जाते हैं। बाजार पर पारंपरिक पहचान तकनीक डिवाइस लक्षण वर्णन के लिए परीक्षण आवश्यकताओं को कवर कर सकती है। हालांकि, तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर डिवाइस SIC या GAN की तकनीक परिपक्व हो जाती है, क्योंकि इसकी उच्च गति, उच्च झेलना वोल्टेज, उच्च तापमान प्रतिरोध, छोटे आकार और कम बिजली की खपत के कारण, यह बिजली रूपांतरण उत्पादों में अधिक से अधिक उपयोग किया जाता है। , जो पारंपरिक प्रदर्शन से अलग है। हालांकि, एसआई-आधारित बिजली उपकरणों ने वितरण रेंज का बहुत विस्तार किया है, जिसमें उच्च-वोल्टेज और उच्च-गति वाले क्षेत्रों को शामिल किया गया है जो पहले कभी दिखाई नहीं दिए हैं, जो डिवाइस परीक्षण उपकरणों के लिए बहुत गंभीर चुनौती है।
इस वर्ष, SIC और GAN उपकरणों का उपयोग देश द्वारा जारी नए बुनियादी ढांचे में 5G संचार बिजली की आपूर्ति, नई ऊर्जा इन्वर्टर और इलेक्ट्रिक वाहन ड्राइव के क्षेत्रों में अधिक से अधिक व्यापक रूप से किया जाएगा, जो इंजीनियरों के लिए अधिक अवसर लाता है। । कई अवसरों ने नई डिजाइन चुनौतियों को भी लाया है।
वर्तमान में, कई इंजीनियर ब्रिज सर्किट डिजाइन में उपकरणों और डिजाइन ड्राइविंग सर्किट का मूल्यांकन करने के लिए कम-साइड स्विचिंग विशेषताओं का उपयोग करते हैं। क्योंकि एक "ग्राउंड" संदर्भ है, ऐसा लगता है कि जब तक बैंडविड्थ और वोल्टेज रेंज संतुष्ट हैं, यह पर्याप्त है, लेकिन वास्तव में, कई लोग इसे अनदेखा करते हैं। वास्तव में, उच्च-वोल्टेज पक्ष और कम-वोल्टेज पक्ष की ड्राइव और विशेषताएं समान नहीं हैं, और ऊपरी-ट्यूब परीक्षण की गणना डाउन-ट्यूब परीक्षण से नहीं की जा सकती है, लेकिन क्यों इंजीनियर वास्तव में उच्च परीक्षण नहीं करते हैं -वॉल्टेज साइड वीजीएस? मुख्य रूप से क्योंकि वर्तमान में सटीक उच्च-वोल्टेज साइड ड्राइव सिग्नल का परीक्षण करने के लिए कोई उपयुक्त जांच और विधि नहीं है, यह बैंडविड्थ सीमा, कॉमन मोड अस्वीकृति अनुपात सीमा, सिग्नल हस्तक्षेप आदि से प्रभावित होगा, इसलिए यह केवल अटकलों या अटकलों या अनुमानित किया जा सकता है। सिमुलेशन, जो बहुत बड़ा है। कुछ हद तक, उत्पाद डिजाइन की अनिश्चितता बढ़ जाती है, और यहां तक कि महान सुरक्षा जोखिम भी हैं।
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